中芯国际申请封装模组及其制备方法专利，降低封装层的翘曲程度
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2026-02-01 11:59:36
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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“封装模组及其制备方法、以及封装结构”的专利，公开号CN121419648A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，一种封装模组及其制备方法、以及封装结构，封装模组包括：具有线路的第一基板，第一基板包括相背的第一面和第二面；器件芯片，位于第一基板的第一面上；封装层，位于器件芯片侧部的第一基板上，封装层覆盖器件芯片的侧壁；抗形变层，位于封装层和器件芯片上，抗形变层包括抗形变作用层，抗形变作用层所对应材料的热膨胀系数，大于封装层所对应材料的热膨胀系数。本发明实施例的抗形变作用层所对应材料的热膨胀系数，大于封装层所对应材料的热膨胀系数，使得当封装层受温度变化影响而发生翘曲时，抗形变作用层会沿横向拉伸，相应使得封装层也沿横向拉伸，从而降低封装层的翘曲程度，进而提高了封装模组的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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来源：市场资讯
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