国家知识产权局信息显示,深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利,公开号CN121728790A,申请日期为2024年9月。
专利摘要显示,本申请公开了一种半导体器件及其制造方法,所述制造方法包括:提供半导体结构,其中,半导体结构包括衬底、位于衬底上的鳍片、位于衬底上且与鳍片相交的伪栅结构、以及覆盖衬底和鳍片的介质层,介质层的上表面与伪栅结构的顶表面齐平;去除伪栅结构,以形成位于介质层中的栅极沟槽,栅极沟槽露出所述鳍片;通过栅极沟槽对所述鳍片进行掺杂,以使鳍片中含有掺杂离子;在栅极沟槽中形成金属栅极结构。本申请去除伪栅结构后,先在栅极沟槽内对鳍片进行掺杂,然后在掺杂后的鳍片上方再形成金属栅极结构,通过对鳍片进行掺杂,改变了启动电阻,从而达到提升器件开关速度以及减小器件功耗的目的。
天眼查资料显示,深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司,成立于2021年,位于深圳市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目19次,财产线索方面有商标信息50条,专利信息116条,此外企业还拥有行政许可215个。
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来源:市场资讯