拓荆创益申请铝合金电化学氟化自封孔方法专利，制备氟化铝与氟化钇的混合涂层
创始人
2026-01-07 19:44:22
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国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种铝合金电化学氟化自封孔方法”的专利，公开号CN121272513A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明属于铝合金表面处理领域，具体地涉及一种铝合金电化学氟化自封孔方法。所述方法包括步骤：（1）通过电化学方法在铝合金表面制备第一涂层；（2）通过电化学方法制备第二涂层；其中，所述第一涂层为氟化铝，所述第二涂层为氟化铝与氟化钇的混合涂层。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息431条，此外企业还拥有行政许可16个。
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来源：市场资讯
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