华虹宏力申请屏蔽栅MOSFET及形成方法专利，提高了开关速度
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2026-01-12 14:22:30
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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“屏蔽栅MOSFET及形成方法”的专利，公开号CN121310559A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种屏蔽栅MOSFET及形成方法，包括：提供外延层，在外延层内形成屏蔽栅沟槽；在屏蔽栅沟槽的内壁形成ONO层，ONO层包括从屏蔽栅多晶硅的内壁开始依次堆叠设置的第一氧化层、氮化层和第二氧化层；在屏蔽栅沟槽的下部分形成屏蔽栅多晶硅，屏蔽栅多晶硅通过ONO层与屏蔽栅沟槽的内壁隔开；在屏蔽栅多晶硅的表面形成介质层，介质层填充屏蔽栅沟槽上部分；去除屏蔽栅沟槽上部分的氮化层，以在介质层的两侧形成第二沟槽；在第二沟槽内形成第二栅多晶硅。本发明减小了位于第二栅多晶硅与屏蔽栅多晶硅之间的隔离层的相对面积，从而减小了栅源电容，提高了开关速度。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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来源：市场资讯
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